串行MRAM消耗的能量

技术文章 1年前 (2020) 完美者
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MR25H256是一个串行MRAM,具有使用串行外围设备接口的芯片选择(CS),串行输入(SI),串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四针接口在逻辑上组织为32Kx8的存储器阵列。 SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集,从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比,串行MRAM具有卓越的写入速度,无限的耐用性,低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。

对于MRAM,基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256进行评估。表3显示,当使用去耦电容器的所有能量时,每个数据字节的能量最低。应选择去耦电容的大小,以匹配系统通常获取的数据量。

串行MRAM消耗的能量

-μF电容器允许以40 MHz在SPI总线上写入50字节(46个数据字节),而MRAM消耗27 mA。此计算是使用46个字节进行比较的来源。

MCU和LDO消耗的能量

对于MCU,可能需要100μs的时间才能唤醒,进行测量,并将结果传达给非易失性存储器并进行必要的内部管理。在此期间,我们假设有功电流消耗为500μA(运行于约5 MHz的小型MCU的典型值)。因此,每次数据采集消耗的能量为3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。

除了进行采集的能量外,我们还应考虑在非易失性存储器写入期间保持MCU处于活动状态所需的能量。当不获取或存储数据时,MCU处于休眠状态,消耗5μA电流。假定电源为一个LDO,在所有操作阶段(活动和睡眠)均消耗1μA电流。

串行MRAM消耗的能量

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版权声明:完美者 发表于 2020-09-17 13:57:15。
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