一张图对比MOS管-MOSFET及三极管的工作原理-聚芯芯片

技术文章 1年前 (2020) 完美者
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聚芯芯片-新三板上市公司【股票代码833898】作为国内专业生产MOS管、MOSFET芯片、碳化硅MOS管,碳化硅MOSFET芯片,Sic-MOSFET,Sic-MOS,IGBT芯片的优秀厂家。公司生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器可以很好的帮助到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题。我们陆续会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是, MOS管,MOS管及三极管的工作原理,请看下方:

一张图对比MOS管及三极管的工作原理

三极管和MOS管的原理并不复杂,但是分开讲述细节,反而不如对比起来容易理解。这里用一张图,让您轻松理解MOS管和三极管的工作原理。
一张图对比MOS管及三极管的工作原理
这里以NMOS和NPN三极管为例,并且以电子流(而非电流)方向为主来说明。

一、符号

MOS管一般可以简化为三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D),MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况;
BJT三极管有三个极,分别是基极(B)发射极(E)和集电极(C),三极管是电流控制型器件,用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况;
二、截止区

NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通;NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压,也相当于两个背靠背的二极管,不导通;
三、线性区

NMOS如果栅上加正电压,就会在其下感应出相反极性的负电荷,从而产生N型沟道,使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响,则栅压高一点,产生的沟道就宽一点,导通能力就大一点,这就是线性区。
NPN管如果BE结加正向偏置导通,电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外,它们有两个地方可以去:一个是从基极流出,一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高,能收集到的电子就会越多,这也是线性变化的。
四、饱和区

NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断,之后即使电压升高,电流不会再升高,因此叫做饱和区;
NPN三极管在集电极电压比较高时,也会几乎全部收集到从发射极过来的电子,电压再升高也没有办法收集到更多,也是它的饱和区。
五、电流电压曲线

在线性区,随着电压升高,源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高,电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。
这样是不是更容易理解呢。

聚芯芯片科技(常州)股份有限公司 新三板上市公司【股票代码833898】
是国内集成电路供应商,专业从事功率器件、MOS管,MOSFET芯片,碳化硅MOS管,碳化硅MOSFET芯片,Sic-MOSFET,Sic-MOS,IGBT芯片模块,MOS场效应管,模拟及数模混合集成电路研发、设计及系统解决方案。

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